電磁兼容性(EMC)測試方法與整改指南

? 新聞資訊 ????|???? ?2020-06-28 02:18:24
電磁兼容性(EMC)是電子設備存在于電磁環(huán)境中而不會對該環(huán)境中的其他電子設備造成干擾或干擾的能力。
 
EMC通常分為兩類:
1.輻射 - 電子設備發(fā)出的電磁干擾可能會對同一環(huán)境中的其他電子設備造成干擾/故障。也稱為電磁干擾(EMI)。
2.免疫/易感性 - 免疫是指電子設備在電磁環(huán)境中正常運行而不會因其他電子設備發(fā)出的輻射而發(fā)生干擾/故障的能力,易感性基本上與免疫力相反,因為設備對電磁干擾的免疫力越小,它就越容易受到影響,通常抗擾度測試是不是必需的用于在澳大利亞,新西蘭,北美和加拿大銷售/分銷消費/商用型產品。
 
電磁兼容性排放
EMC排放進一步細分為兩類:
1.輻射排放
2.進行排放
 
電磁場由以下部分組成:
1.電場(電場) - 通常以伏/米(V / M)為單位測量
2.磁場(H場) - 通常以每米安培(A / m)為單位測量
 
電磁場的這兩個分量本身是兩個獨立的場,但不是完全獨立的現象。電場和H場彼此成直角移動。
 
輻射發(fā)射(E-Field):
輻射發(fā)射是源自電子或電氣設備內部產生的頻率的電磁干擾(EMI)或干擾。輻射發(fā)射可能會帶來嚴苛的合規(guī)性問題,對于一些一般性指導,請查看我們的文章 EMC輻射發(fā)射常見問題和解決方案。輻射發(fā)射直接從設備的機箱或通過互連電纜(如信號端口,有線端口,如電信端口或電源導線)通過空氣傳播。
 
一個很好的例子是HDMI端口和可以從這些電纜輻射的相關EMI,我們用它作為案例研究,文章可以在這里找到; 符合EMC輻射發(fā)射測試(EMI)。在EMC測試期間,使用頻譜分析儀和/或EMI接收器以及合適的測量天線進行輻射發(fā)射測量。
 
EMC輻射發(fā)射測試方法
輻射發(fā)射(H場):電磁波的磁性成分使用頻譜分析儀和/或EMI接收器以及合適的測量天線。典型的磁場天線包括環(huán)形天線,并且還包括根據CISPR 15的特定天線,例如Van Veen Loop。Van Veen環(huán)形天線基本上是三個環(huán)形天線,它們一起構成三個軸(X,Y和Z)的產品磁場發(fā)射。

 

 
傳導發(fā)射(連續(xù)和不連續(xù))
傳導發(fā)射是電磁干擾(EMI)或源自電子或電氣設備內部產生的頻率的干擾。然后,這些發(fā)射沿著互連的電纜傳播,例如有線端口,例如電信端口或電力導線。這些發(fā)射可以是連續(xù)的(在給定頻率下連續(xù)發(fā)射),也可以是不連續(xù)的(非常數,偶爾發(fā)生)。
 
在EMC測試期間,通過位于測試室內的ISN(阻抗穩(wěn)定網絡)在EMI接收器上進行傳導發(fā)射測量。
 

 

電磁兼容性抗擾度
EMC抗擾度測試可以被認為是連續(xù)的或瞬態(tài)的。對產品應用連續(xù)測試以模擬現實世界中可能發(fā)生的RF接近度。瞬態(tài)現象通常是涉及能量爆發(fā)的短事件。
 
EMC抗擾度測試要求通常根據電磁干擾如何耦合到設備上而分開:
1.免疫,機箱端口
2.免疫,信號端口和電信端口
3.抗擾度,輸入直流電源端口
4.抗擾度,輸入交流電源端口
測試級別,干擾信號類型等取決于被測設備的類型和所應用的標準。
 
持續(xù)免疫測試
輻射抗擾度:RF信號發(fā)生器,放大器和天線用于產生不同頻率的電磁場。被測設備(EUT)的外殼端口和相關電纜通過輻射天線暴露在電磁場中。輻射測試信號處于特定幅度并且調制應用特定時間段。大多數需要抗擾度測試的標準都要求進行此測試。
 
 
 
傳導抗擾度:
在傳導抗擾度測試期間,RF信號發(fā)生器和放大器產生電磁場。該電磁場通過注入裝置(通常是CDN,或“耦合/去耦網絡”用作注入裝置)耦合到產品信號,數據或電源端口。這種傳導抗擾度測試本質上是連續(xù)的,在許多標準中稱為“射頻連續(xù)傳導”。通常,傳導抗擾度測試適用于長度超過3米的交流和直流端口和信號電纜。 

 

 
工頻磁場抗擾度:
由電磁線圈產生的波動磁場在主電源頻率(50 / 60Hz)下振蕩。EUT放置在這個波動的磁場內并暴露足夠的時間以評估產品的性能。磁場抗擾度測試通常僅適用于磁敏感設備。
 
瞬態(tài)免疫測試:
瞬態(tài)現象是短暫的能量爆發(fā),被測產品將在很短的時間內暴露出來。與連續(xù)抗擾性一樣,瞬態(tài)抗擾度適用于產品機箱端口,信號/數據端口和電源端口(如果適用)。
 
靜電放電(ESD):
ESD脈沖直接施加到器件的外殼上,間接施加到垂直/水平耦合平面,靠近被測產品,測試水平與所應用的標準相關。有關靜電放電效果和可能的ESD兼容性解決方案的更多信息,請查看文章:靜電放電常見EMC解決方案。
 
電快速瞬變(EFT)/突發(fā):
快速瞬變是一系列短脈沖,其幅度和重復頻率都很高,上升時間很短??焖偎矐B(tài)現象通常由高速開關事件引起,例如感應負載中斷和繼電器觸點反彈等。通常,快速瞬態(tài)測試適用于長度超過3米的交流和直流端口和信號電纜。
 
浪涌:
浪涌是由高功率開關事件,磁/電感耦合甚至閃電產生的一種瞬態(tài)現象。在主電源的幾個相角處應用EUT的電源端口上的浪涌測試。通常,浪涌測試適用于交流端口,有時也適用于直流端口,某些EMC產品標準中的信號電纜長度超過30米,或者電纜可能在建筑物外部運行。有關浪涌的更多信息,請參閱我們的文章 Surges EMC測試典型問題和解決方案。
 
電壓驟降,短暫中斷(VDI)和電壓變化:
電壓驟降和短暫中斷測試的目的是模擬電力網絡中的故障。這些故障可能是由斷電(停電/掉電事件)或負載突然大的變化引起的。電壓變化通常由連接到電力網絡的連續(xù)變化的負載引起。電壓驟降或中斷是二維現象,其特征在于殘余電壓(指定下降之后的電源電壓)和持續(xù)時間(標稱電壓下降到產品的下降多長時間)。該測試僅適用于產品的AC輸入端口。
 
脈沖磁場:
與工頻磁場抗擾度測試一樣,被測產品放置在磁環(huán)內。與工頻磁場測試不同,EUT不是將EUT暴露在連續(xù)波動的磁場中(以50 / 60Hz振蕩),而是暴露于由瞬態(tài)發(fā)生器提供的磁場脈沖。磁脈沖振幅高但上升時間短,然后評估產品的性能以確保正常操作。

 



 

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